在晶體管、集成電路生產(chǎn)中,純水主要用于清洗硅片,另有少量用于藥液配制,硅片氧化的水汽源,部分設(shè)備的冷卻水,配制電鍍液等。集成電路生產(chǎn)過程中的80%的工序需要使用高純水清洗硅片,水質(zhì)的好壞與集成電路的產(chǎn)品質(zhì)量及生產(chǎn)成品率關(guān)系很大。
水中的堿金屬(K、Na等)會使絕緣膜耐壓不良,重金屬(Au、Ag、Cu等)會使PN結(jié)耐壓降低,Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)會使N型半導(dǎo)體特性惡化,Ⅴ族元素(P、As、Sb等)會使P型半導(dǎo)體特性惡化,水中細菌高溫碳化后的磷(約占灰分的20-50%)會使P型硅片上的局部區(qū)域變?yōu)?/span>N型硅而導(dǎo)致器件性能變壞,水中的顆粒(包括細菌)如吸附在硅片表面,就會引起電路短路或特性變差。
集成電路(DRAM)集成度16K的要求是電阻率16兆歐以上,集成電路(DRAM)集成度64K的要求是電阻率16兆歐以上,集成電路(DRAM)集成度256K的要求是電阻率≥17 MΩ?cm,集成電路(DRAM)集成度1M的要求電阻率≥18MΩ?cm,集成電路(DRAM)集成度4M的要求電阻率≥18MΩ?cm,集成電路(DRAM)集成度16M的要求電阻率≥18.2MΩ?cm.
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