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 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對(duì)電阻率的影響非常大。半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時(shí)，雜質(zhì)原子附近的周期勢(shì)場(chǎng)受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)， 在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級(jí)。例如四價(jià)元素鍺或硅晶體中摻入五價(jià)元素磷、砷、銻等雜質(zhì)原子時(shí)，雜質(zhì)原子作為晶格的一分子，其五個(gè)價(jià)電子中有四個(gè)與周圍的鍺（或 硅）原子形成共價(jià)結(jié)合，多余的一個(gè) 電子被束縛于雜質(zhì)原子附近，產(chǎn)生類氫能級(jí)。雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶上方靠近導(dǎo)帶底附近。雜質(zhì)能級(jí)上的電子很易激發(fā)到導(dǎo)帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的 雜質(zhì)稱為施主，相應(yīng)能級(jí)稱為施主能級(jí)。施主能級(jí)上的電子躍遷到導(dǎo)帶所需能量比從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶所需能量小得多

 半導(dǎo)體芯片清洗超純水設(shè)備出水水質(zhì)完全符合美國(guó)ASTM純水水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)、我國(guó)電子工業(yè)部電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) （18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五級(jí)標(biāo)準(zhǔn)）、我國(guó)電子工業(yè)部高純水水質(zhì)試行標(biāo)準(zhǔn)、美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標(biāo)、日本集成電路水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)內(nèi)外大規(guī)模集成電路水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。

  新興的光電材料生產(chǎn)、加工、清洗；LCD液晶顯示屏、PDP等離子顯示屏、高品質(zhì)燈管顯像管、微電子工業(yè)、 FPC/PCB線路板、電路板、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需用大量的高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高，對(duì)水質(zhì)的要求也越高，這也對(duì) 超純水處理工藝及產(chǎn)品的簡(jiǎn)易性、自動(dòng)化程度、生產(chǎn)的連續(xù)性、可持續(xù)性等提出了更加嚴(yán)格的要求。  

半導(dǎo)體用超純水工藝：

1、石英砂過(guò)濾器—活性炭過(guò)濾器—阻垢系統(tǒng)—PH調(diào)節(jié)系統(tǒng)—精密過(guò)濾器→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→再生混床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)（≥18MΩ.CM）(傳統(tǒng)工藝)

2、石英砂過(guò)濾器—活性炭過(guò)濾器—阻垢系統(tǒng)—PH調(diào)節(jié)系統(tǒng)—精密過(guò)濾器→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→增壓水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.22或0.5μm精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)（≥18MΩ.CM）(最新工藝)

3、石英砂過(guò)濾器—活性炭過(guò)濾器—軟水器—精密過(guò)濾器→一級(jí)反滲透→加藥機(jī)（PH調(diào)節(jié)）→中間水箱→二級(jí)反滲透（正電荷反滲膜）→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→0.22μm精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)（≥17MΩ.CM）(最新工藝)

4、石英砂過(guò)濾器—活性炭過(guò)濾器—阻垢系統(tǒng)—PH調(diào)節(jié)系統(tǒng)—精密過(guò)濾器→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0.22μm精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)（≥15MΩ.CM）(最新工藝)

5、石英砂過(guò)濾器—活性炭過(guò)濾器—阻垢系統(tǒng)—PH調(diào)節(jié)系統(tǒng)—精密過(guò)濾器→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過(guò)濾器→用水對(duì)象 （≥15MΩ.CM）(傳統(tǒng)工藝)

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