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?半導(dǎo)體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需用大量的高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高，對(duì)水質(zhì)的要求也越高。目前我國(guó)電子工業(yè)部把電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)分為五個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm（兆歐），以區(qū)分不同水質(zhì)。電子工業(yè)超純水處理設(shè)備 采用兩...

?離子交換器及混床系統(tǒng)停運(yùn)處理方式系統(tǒng)停運(yùn)狀態(tài)樹(shù)脂的處理：?離子交換樹(shù)脂通常以充分溶脹含平衡水的形態(tài)供應(yīng). 保持顆粒中的水分十分重要. 因?yàn)橐坏?shù)脂失水, 再濕潤(rùn)時(shí)樹(shù)脂顆粒會(huì)爆裂或破碎.

?當(dāng)部分氫型陽(yáng)樹(shù)脂沉于混床底部時(shí),因平衡泄漏(將使得采水偏酸.此偏酸將使得鈉離子泄漏增加.當(dāng)PH值下降時(shí),鈉離子泄漏量將會(huì)隨之增加. 例如, 在PH值等于7時(shí), 有20%陽(yáng)樹(shù)脂為鈉型時(shí), 仍能產(chǎn)生低于1ppb鈉泄漏的采水. 但當(dāng)酸堿值下降至6時(shí), 欲達(dá)到相同的1ppb鈉泄漏時(shí), 則陽(yáng)樹(shù)脂所含的鈉型比率不得高于2%. 因此,此因混合不良所造成的陽(yáng)樹(shù)脂沉于槽底,將造成采水水質(zhì)不良及造水量下降.

?合適的預(yù)處理對(duì)反滲透裝置長(zhǎng)期安全運(yùn)行是十分重要的。有了滿足反滲透進(jìn)水水質(zhì)要求的預(yù)處理，就可以確保產(chǎn)品水（ 滲透水）流量維持穩(wěn)定；脫鹽率保持在某一值上的時(shí)間長(zhǎng)；系統(tǒng)回收率長(zhǎng)期 維持不變；運(yùn)行費(fèi)用做到最低；膜使用壽命較長(zhǎng)等。預(yù)處理設(shè)備類型的選擇預(yù)處理設(shè)備必須能夠高效、穩(wěn)定地運(yùn)行，同時(shí)盡量簡(jiǎn)化流程，降低投資和運(yùn)行成本。

?當(dāng)您新買(mǎi)一臺(tái)純水機(jī)，通常逆滲透膜已經(jīng)裝入逆滲透膜管。使用了一段時(shí)間，當(dāng)您需要更換逆滲透膜時(shí)，您可請(qǐng)專業(yè)人員為您服務(wù)或按照下列程序自行更換：

?原水箱(設(shè)有壓力保護(hù))→增壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟化器(根據(jù)地域不同選用)→精密過(guò)濾器→反滲透高壓泵→RO反滲透系統(tǒng)→RO純水箱→EDI增壓泵→EDI電去離子主機(jī)→終端精密過(guò)濾→UV紫外線殺菌→設(shè)備用水（水質(zhì)可以達(dá)到16MΩ.cm以上即0.062us/㎝以下,25℃）